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BDV65B

BDV65B

僅供參考

型號 BDV65B
PNEDA編號 BDV65B_105
描述 POWER TRANSISTOR NPN TO218
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 8,802
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BDV65B資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BDV65B
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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BDV65B規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)12A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 5A, 4V
功率-最大125W
頻率-過渡60MHz
工作溫度-
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-218-3
供應商設備包裝TO-218

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4A

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400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 800mA, 4A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

功率-最大

75W

頻率-過渡

12MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

185mV @ 550mA, 5.5A

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

2.1W

頻率-過渡

152MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

220V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 10mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

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工作溫度

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