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BDX53BG

BDX53BG

僅供參考

型號 BDX53BG
PNEDA編號 BDX53BG
描述 TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 12,540
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BDX53BG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BDX53BG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
BDX53BG, BDX53BG數據表 (總頁數: 9, 大小: 360.27 KB)
PDFBDX54C數據表 封面
BDX54C數據表 頁面 2 BDX54C數據表 頁面 3 BDX54C數據表 頁面 4 BDX54C數據表 頁面 5 BDX54C數據表 頁面 6 BDX54C數據表 頁面 7 BDX54C數據表 頁面 8 BDX54C數據表 頁面 9

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BDX53BG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2V @ 12mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)500µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 3A, 3V
功率-最大65W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.7V @ 600mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 100mA, 1V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

275mV @ 300mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

260 @ 2A, 2V

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200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

450mV @ 50mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1.5A, 1.5V

功率-最大

1.56W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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