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BFG10,215

BFG10,215

僅供參考

型號 BFG10,215
PNEDA編號 BFG10-215
描述 RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,434
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFG10資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFG10,215
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFG10, BFG10數據表 (總頁數: 11, 大小: 257.77 KB)
PDFBFG10/X數據表 封面
BFG10/X數據表 頁面 2 BFG10/X數據表 頁面 3 BFG10/X數據表 頁面 4 BFG10/X數據表 頁面 5 BFG10/X數據表 頁面 6 BFG10/X數據表 頁面 7 BFG10/X數據表 頁面 8 BFG10/X數據表 頁面 9 BFG10/X數據表 頁面 10 BFG10/X數據表 頁面 11

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BFG10規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)8V
頻率-過渡1.9GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益7dB
功率-最大400mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)250mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-253-4, TO-253AA
供應商設備包裝SOT-143B

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

18dB ~ 22dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

增益

16dB

功率-最大

50mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

20dB

功率-最大

175mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.2db ~ 7dB

功率-最大

575W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55AW

供應商設備包裝

55AW

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

5.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

14dB ~ 8.5dB

功率-最大

1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 70mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

210mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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