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BFG10W/X,115

BFG10W/X,115

僅供參考

型號 BFG10W/X,115
PNEDA編號 BFG10W-X-115
描述 RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 4,788
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFG10W/X資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFG10W/X,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFG10W/X, BFG10W/X數據表 (總頁數: 11, 大小: 240.07 KB)
PDFBFG10W/X數據表 封面
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BFG10W/X規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡1.9GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大400mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)250mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343 Reverse Pinning
供應商設備包裝4-SO

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.6dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

SOT-363

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制造商

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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安裝類型

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6.1V

頻率-過渡

900MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz

增益

27dB

功率-最大

600mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 90mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

SOT343-4-2

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

TO-236AB (SOT23)

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

18.5dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

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