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BFG198,115

BFG198,115

僅供參考

型號 BFG198,115
PNEDA編號 BFG198-115
描述 RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,652
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 29 - 四月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFG198資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFG198,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFG198, BFG198數據表 (總頁數: 14, 大小: 293.76 KB)
PDFBFG198數據表 封面
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BFG198規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大1W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce40 @ 50mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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晶體管類型

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頻率-過渡

8.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

22dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 15mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

PG-SOT343-4

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.025GHz ~ 1.15GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.5dB

功率-最大

1000W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

工作溫度

250°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M216

供應商設備包裝

M216

制造商

CEL

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

6V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供應商設備包裝

6-SO

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

2.3dB @ 1GHz

增益

8.3dB

功率-最大

1.8W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.48GHz ~ 1.65GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7.6dB ~ 9.3dB

功率-最大

175W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 500mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

工作溫度

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安裝類型

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