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BFG325/XR,215

BFG325/XR,215

僅供參考

型號 BFG325/XR,215
PNEDA編號 BFG325-XR-215
描述 RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFG325/XR資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFG325/XR,215
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFG325/XR, BFG325/XR數據表 (總頁數: 13, 大小: 190.33 KB)
PDFBFG325/XR數據表 封面
BFG325/XR數據表 頁面 2 BFG325/XR數據表 頁面 3 BFG325/XR數據表 頁面 4 BFG325/XR數據表 頁面 5 BFG325/XR數據表 頁面 6 BFG325/XR數據表 頁面 7 BFG325/XR數據表 頁面 8 BFG325/XR數據表 頁面 9 BFG325/XR數據表 頁面 10 BFG325/XR數據表 頁面 11

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BFG325/XR規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)6V
頻率-過渡14GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.1dB @ 2GHz
增益18.3dB
功率-最大210mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 15mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)35mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-143R
供應商設備包裝SOT-143R

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

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功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

5V

頻率-過渡

17GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

11dB ~ 19dB

功率-最大

500mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

130 @ 15mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

40GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

12.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

PG-SOT343-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 20mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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