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BFG35,115

BFG35,115

僅供參考

型號 BFG35,115
PNEDA編號 BFG35-115
描述 RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 23,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFG35資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFG35,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFG35, BFG35數據表 (總頁數: 14, 大小: 283.69 KB)
PDFBFG35數據表 封面
BFG35數據表 頁面 2 BFG35數據表 頁面 3 BFG35數據表 頁面 4 BFG35數據表 頁面 5 BFG35數據表 頁面 6 BFG35數據表 頁面 7 BFG35數據表 頁面 8 BFG35數據表 頁面 9 BFG35數據表 頁面 10 BFG35數據表 頁面 11

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BFG35規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)18V
頻率-過渡4GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)-
增益-
功率-最大1W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce25 @ 100mA, 10V
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

1.6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 2mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

2GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 100MHz

增益

27dB ~ 30dB

功率-最大

85mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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