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BFG67/X,215

BFG67/X,215

僅供參考

型號 BFG67/X,215
PNEDA編號 BFG67-X-215
描述 RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT143B
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFG67/X資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFG67/X,215
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFG67/X, BFG67/X數據表 (總頁數: 14, 大小: 287.4 KB)
PDFBFG67數據表 封面
BFG67數據表 頁面 2 BFG67數據表 頁面 3 BFG67數據表 頁面 4 BFG67數據表 頁面 5 BFG67數據表 頁面 6 BFG67數據表 頁面 7 BFG67數據表 頁面 8 BFG67數據表 頁面 9 BFG67數據表 頁面 10 BFG67數據表 頁面 11

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BFG67/X規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)10V
頻率-過渡8GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.3dB @ 1GHz
增益-
功率-最大380mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 15mA, 5V
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-253-4, TO-253AA
供應商設備包裝SOT-143B

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

7.5W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

M115

供應商設備包裝

M115

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz

增益

13dB ~ 28dB

功率-最大

75mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-723

供應商設備包裝

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STMicroelectronics

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

4.5V

頻率-過渡

1.9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.3dB @ 1.8GHz

增益

15dB

功率-最大

600mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 160mA, 4V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-343

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

700MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

增益

-

功率-最大

625mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

360mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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