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BFP 650F E6327

BFP 650F E6327

僅供參考

型號 BFP 650F E6327
PNEDA編號 BFP-650F-E6327
描述 RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,484
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 11 - 四月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFP 650F E6327資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFP 650F E6327
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFP 650F E6327, BFP 650F E6327數據表 (總頁數: 7, 大小: 128.04 KB)
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BFP 650F E6327規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)4.5V
頻率-過渡42GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益11dB ~ 21.5dB
功率-最大500mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce110 @ 80mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, Flat Leads
供應商設備包裝4-TSFP

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2.5dB @ 100MHz

增益

23dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

150MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 1mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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BFR 949L3 E6327

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制造商

Infineon Technologies

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

9GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 2.5dB @ 1GHz

增益

21.5dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

27dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 25mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

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