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BFP196WNH6327XTSA1

BFP196WNH6327XTSA1

僅供參考

型號 BFP196WNH6327XTSA1
PNEDA編號 BFP196WNH6327XTSA1
描述 RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 24,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFP196WNH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFP196WNH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFP196WNH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡7.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.3dB @ 900MHz
增益9.7dB
功率-最大700mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 50mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝PG-SOT343-4

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Infineon Technologies

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頻率-過渡

30GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

增益

21.5dB

功率-最大

250mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 3.5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

PG-SOT343-4

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

10V

頻率-過渡

6GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 800MHz

增益

11dB ~ 14dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.4dB

功率-最大

15W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

5 @ 100mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

工作溫度

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

12dB

功率-最大

80W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 5A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

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