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BFR505T,115

BFR505T,115

僅供參考

型號 BFR505T,115
PNEDA編號 BFR505T-115
描述 RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC75
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 6,300
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 16 - 四月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFR505T資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFR505T,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFR505T, BFR505T數據表 (總頁數: 14, 大小: 274.2 KB)
PDFBFR505T數據表 封面
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BFR505T規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)15V
頻率-過渡9GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
增益-
功率-最大150mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 6V
當前-集電極(Ic)(最大值)18mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75

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1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

9.6dB ~ 13.5dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-523

供應商設備包裝

SOT-523

BF959ZL1G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

增益

-

功率-最大

625mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

6.2db ~ 7dB

功率-最大

575W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55AW

供應商設備包裝

55AW

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

1.3GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

5dB @ 500MHz

增益

53dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 2mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

E-Line-3, Formed Leads

供應商設備包裝

E-Line (TO-92 compatible)

BLT70,115

NXP

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

8V

頻率-過渡

900MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

2.1W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 100mA, 4.8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

250mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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