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BFR840L3RHESDE6327XTSA1

BFR840L3RHESDE6327XTSA1

僅供參考

型號 BFR840L3RHESDE6327XTSA1
PNEDA編號 BFR840L3RHESDE6327XTSA1
描述 RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,784
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFR840L3RHESDE6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFR840L3RHESDE6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFR840L3RHESDE6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)2.6V
頻率-過渡75GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.5dB @ 450MHz
增益27dB
功率-最大75mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce150 @ 10mA, 1.8V
當前-集電極(Ic)(最大值)35mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-101, SOT-883
供應商設備包裝PG-TSLP-3

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噪聲系數(dB Typ @ f)

6.5dB @ 200MHz

增益

15dB ~ 23dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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30mA

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增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

增益

15dB

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 8mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

增益

24dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 30mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

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