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BFR93AE6327HTSA1

BFR93AE6327HTSA1

僅供參考

型號 BFR93AE6327HTSA1
PNEDA編號 BFR93AE6327HTSA1
描述 RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 293,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFR93AE6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFR93AE6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF

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BFR93AE6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡6GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益9.5dB ~ 14.5dB
功率-最大300mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce70 @ 30mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)90mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23-3

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

增益

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 1mA, 6V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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BFR193FH6327XTSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

12.5dB

功率-最大

580mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

增益

12dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

增益

14dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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