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BFU530XVL

BFU530XVL

僅供參考

型號 BFU530XVL
PNEDA編號 BFU530XVL
描述 RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFU530XVL資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFU530XVL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFU530XVL, BFU530XVL數據表 (總頁數: 22, 大小: 301.4 KB)
PDFBFU530XVL數據表 封面
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BFU530XVL規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡11GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.1dB @ 1.8GHz
增益16.5dB
功率-最大450mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 10mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)40mA
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-253-4, TO-253AA
供應商設備包裝SOT-143B

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NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 30mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

TO-236AB (SOT23)

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NXP

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

10.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

增益

17.5dB

功率-最大

450mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

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Central Semiconductor Corp

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

頻率-過渡

960MHz ~ 1.215GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

7dB ~ 8.2dB

功率-最大

220W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

55AW

供應商設備包裝

55AW

SD1013

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

35V

頻率-過渡

150MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

13W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 200mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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供應商設備包裝

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