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BFU580GX

BFU580GX

僅供參考

型號 BFU580GX
PNEDA編號 BFU580GX
描述 RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT223
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 28 - 四月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFU580GX資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFU580GX
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFU580GX, BFU580GX數據表 (總頁數: 21, 大小: 293.65 KB)
PDFBFU580GX數據表 封面
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BFU580GX規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡11GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.4dB @ 1.8GHz
增益10.5dB
功率-最大1W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 30mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)60mA
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA
供應商設備包裝SOT-223

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增益

11dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 10mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

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8.2dB

功率-最大

30W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 200mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

225MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

8.4dB

功率-最大

220W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 2A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

1.1GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

400mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

97 @ 1mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Microsemi Corporation

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

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