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BFU580QX

BFU580QX

僅供參考

型號 BFU580QX
PNEDA編號 BFU580QX
描述 RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 19,668
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 25 - 三月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFU580QX資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFU580QX
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFU580QX, BFU580QX數據表 (總頁數: 21, 大小: 270.53 KB)
PDFBFU580QX數據表 封面
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BFU580QX規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)12V
頻率-過渡10.5GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)1.3dB @ 1.8GHz
增益8.5dB
功率-最大1W
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 30mA, 8V
當前-集電極(Ic)(最大值)60mA
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-243AA
供應商設備包裝SOT-89-3

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 15mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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增益

-

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

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ON Semiconductor

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

600MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

頻率-過渡

-

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

350mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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