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BFU730F,115

BFU730F,115

僅供參考

型號 BFU730F,115
PNEDA編號 BFU730F-115
描述 RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4DFP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 56,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFU730F資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFU730F,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFU730F, BFU730F數據表 (總頁數: 12, 大小: 128.79 KB)
PDFBFU730F數據表 封面
BFU730F數據表 頁面 2 BFU730F數據表 頁面 3 BFU730F數據表 頁面 4 BFU730F數據表 頁面 5 BFU730F數據表 頁面 6 BFU730F數據表 頁面 7 BFU730F數據表 頁面 8 BFU730F數據表 頁面 9 BFU730F數據表 頁面 10 BFU730F數據表 頁面 11

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BFU730F規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)2.8V
頻率-過渡55GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.3dB @ 5.8GHz ~ 12GHz
增益-
功率-最大197mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce205 @ 2mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝4-DFP

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

增益

11.5dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3V

頻率-過渡

12GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 2GHz

增益

-

功率-最大

90mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 10mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Diodes Incorporated

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

頻率-過渡

650MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 4mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供應商設備包裝

SOT-23-3

BLW96/01,112

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制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

55V

頻率-過渡

235MHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

340W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 7A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

16V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

10dB

功率-最大

25W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 200mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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供應商設備包裝

M123

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