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BFU730LXZ

BFU730LXZ

僅供參考

型號 BFU730LXZ
PNEDA編號 BFU730LXZ
描述 RF TRANS NPN 3V 53GHZ 3DFN1006
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 89,202
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFU730LXZ資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFU730LXZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFU730LXZ, BFU730LXZ數據表 (總頁數: 13, 大小: 146.96 KB)
PDFBFU730LXZ數據表 封面
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BFU730LXZ規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)3V
頻率-過渡53GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.75dB @ 6GHz
增益15.8dB
功率-最大160mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce205 @ 2mA, 3V
當前-集電極(Ic)(最大值)30mA
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-XFDFN
供應商設備包裝3-DFN1006 (1.0x0.6)

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頻率-過渡

10GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

9.6dB ~ 13.5dB

功率-最大

100mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-523

供應商設備包裝

SOT-523

HFA3127R96

Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

晶體管類型

5 NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

增益

-

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 2V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

晶體管類型

NPN

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

8GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

增益

13.5dB ~ 20.5dB

功率-最大

580mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 30mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

PG-SOT343-4

制造商

CEL

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

頻率-過渡

4.5GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

增益

9dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

12dB

功率-最大

8W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 50mA, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

640mA

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

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