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BFU760F,115

BFU760F,115

僅供參考

型號 BFU760F,115
PNEDA編號 BFU760F-115
描述 RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 2,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 18 - 四月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BFU760F資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BFU760F,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BFU760F, BFU760F數據表 (總頁數: 12, 大小: 122.97 KB)
PDFBFU760F數據表 封面
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BFU760F規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)2.8V
頻率-過渡45GHz
噪聲系數(dB Typ @ f)0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
增益-
功率-最大220mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce155 @ 10mA, 2V
當前-集電極(Ic)(最大值)70mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-343F
供應商設備包裝4-DFP

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噪聲系數(dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

增益

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40mA

工作溫度

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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系列

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晶體管類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

增益

-

功率-最大

300mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 15mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25mA

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 20mA, 8V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65mA

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15.5dB

功率-最大

210mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 15mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35mA

工作溫度

150°C (TJ)

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