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BGR420H6327XTSA1

BGR420H6327XTSA1

僅供參考

型號 BGR420H6327XTSA1
PNEDA編號 BGR420H6327XTSA1
描述 RF TRANS NPN 13V SOT343-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,244
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 16 - 三月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BGR420H6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BGR420H6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-RF
數據表
BGR420H6327XTSA1, BGR420H6327XTSA1數據表 (總頁數: 7, 大小: 310.74 KB)
PDFBGR420H6327XTSA1數據表 封面
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BGR420H6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
晶體管類型NPN
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)13V
頻率-過渡-
噪聲系數(dB Typ @ f)1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz
增益-
功率-最大120mW
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
當前-集電極(Ic)(最大值)25mA
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-82A, SOT-343
供應商設備包裝PG-SOT343-4

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1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz

增益

7dB ~ 9dB

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 7mA, 3V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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噪聲系數(dB Typ @ f)

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增益

6dB

功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

工作溫度

200°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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55KV

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Microsemi

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Microsemi Corporation

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

頻率-過渡

1.03GHz ~ 1.09GHz

噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

9dB

功率-最大

175W

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 1A, 5V

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.4A

工作溫度

200°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

12V

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噪聲系數(dB Typ @ f)

-

增益

-

功率-最大

200mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 3mA, 1V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

工作溫度

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頻率-過渡

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噪聲系數(dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.5dB @ 800MHz

增益

9dB ~ 12dB

功率-最大

150mW

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 10mA, 10V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

工作溫度

150°C (TJ)

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