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BLF6G10LS-200,112

BLF6G10LS-200,112

僅供參考

型號 BLF6G10LS-200,112
PNEDA編號 BLF6G10LS-200-112
描述 FET RF 65V 871.5MHZ SOT502B
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLF6G10LS-200資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLF6G10LS-200,112
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
BLF6G10LS-200, BLF6G10LS-200數據表 (總頁數: 11, 大小: 99.49 KB)
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BLF6G10LS-200規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率871.5MHz
增益20.2dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)49A
噪聲系數-
當前-測試1.4A
功率-輸出40W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-502B
供應商設備包裝SOT502B

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噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

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電壓-額定

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供應商設備包裝

M177

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M/A-Com Technology Solutions

系列

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晶體管類型

HEMT

頻率

2.7GHz ~ 3.1GHz

增益

12dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

4.2A

噪聲系數

-

當前-測試

500mA

功率-輸出

100W

電壓-額定

65V

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

230MHz

增益

26.1dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

150W

電壓-額定

133V

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-270 WB-4 Gull

PTFA211801E-V5-R0

Cree/Wolfspeed

制造商

Cree/Wolfspeed

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

2.11GHz ~ 2.17GHz

增益

15.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

1.2A

功率-輸出

180W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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增益

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電壓-測試

28V

額定電流(安培)

1µA

噪聲系數

-

當前-測試

180mA

功率-輸出

10W

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65V

包裝/箱

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