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BLF6G27L-50BN,118

BLF6G27L-50BN,118

僅供參考

型號 BLF6G27L-50BN,118
PNEDA編號 BLF6G27L-50BN-118
描述 RF FET LDMOS 65V 16DB SOT1112A
制造商 Ampleon
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLF6G27L-50BN資源

品牌 Ampleon
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLF6G27L-50BN,118
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
BLF6G27L-50BN, BLF6G27L-50BN數據表 (總頁數: 14, 大小: 975.28 KB)
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BLF6G27L-50BN規格

制造商Ampleon USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual), Common Source
頻率2.5GHz ~ 2.7GHz
增益16.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試430mA
功率-輸出3W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-1112A
供應商設備包裝CDFM6

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晶體管類型

-

頻率

-

增益

-

電壓-測試

-

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

-

電壓-額定

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

21.4dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

14W

電壓-額定

68V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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3SK263-5-TG-E

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ON Semiconductor

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晶體管類型

N-Channel Dual Gate

頻率

200MHz

增益

21dB

電壓-測試

6V

額定電流(安培)

30mA

噪聲系數

2.2dB

當前-測試

10mA

功率-輸出

-

電壓-額定

15V

包裝/箱

TO-253-4, TO-253AA

供應商設備包裝

4-CP

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

21dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

58W

電壓-額定

66V

包裝/箱

NI-880S

供應商設備包裝

NI-880S

PTVA120251EA-V1

Cree/Wolfspeed

制造商

Cree/Wolfspeed

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

500MHz ~ 1.4GHz

增益

15.8dB

電壓-測試

-

額定電流(安培)

10µA

噪聲系數

-

當前-測試

-

功率-輸出

34W

電壓-額定

105V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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