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BLM7G22S-60PBY

BLM7G22S-60PBY

僅供參考

型號 BLM7G22S-60PBY
PNEDA編號 BLM7G22S-60PBY
描述 RF FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121
制造商 Ampleon
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLM7G22S-60PBY資源

品牌 Ampleon
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLM7G22S-60PBY
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
BLM7G22S-60PBY, BLM7G22S-60PBY數據表 (總頁數: 21, 大小: 1,577.3 KB)
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BLM7G22S-60PBY規格

制造商Ampleon USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS (Dual)
頻率2.14GHz
增益31.5dB
電壓-測試28V
額定電流(安培)-
噪聲系數-
當前-測試75mA
功率-輸出1.6W
電壓-額定65V
包裝/箱SOT-1211-2
供應商設備包裝16-HSOPF

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噪聲系數

-

當前-測試

-

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包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-92-3

制造商

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系列

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晶體管類型

LDMOS

頻率

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增益

19.7dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.5A

功率-輸出

33W

電壓-額定

68V

包裝/箱

SOT-957A

供應商設備包裝

NI-780H-2L

制造商

NXP USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.034GHz

增益

19.6dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

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電壓-額定

112V

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制造商

M/A-Com Technology Solutions

系列

-

晶體管類型

-

頻率

2.7GHz ~ 2.9GHz

增益

11.5dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

10A

噪聲系數

-

當前-測試

500mA

功率-輸出

400W

電壓-額定

55V

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

制造商

NXP USA Inc.

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晶體管類型

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頻率

230MHz

增益

24dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

100mA

功率-輸出

1250W

電壓-額定

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