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BLS6G3135S-120,112

BLS6G3135S-120,112

僅供參考

型號 BLS6G3135S-120,112
PNEDA編號 BLS6G3135S-120-112
描述 RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B
制造商 Ampleon
單價
1 ---------- $3,640.4096
50 ---------- $3,469.7654
100 ---------- $3,299.1212
200 ---------- $3,128.4770
400 ---------- $2,986.2735
500 ---------- $2,844.0700
庫存 5,543
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 7 - 十一月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BLS6G3135S-120資源

品牌 Ampleon
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BLS6G3135S-120,112
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
BLS6G3135S-120, BLS6G3135S-120數據表 (總頁數: 13, 大小: 1,111.18 KB)
PDFBLS6G3135-120數據表 封面
BLS6G3135-120數據表 頁面 2 BLS6G3135-120數據表 頁面 3 BLS6G3135-120數據表 頁面 4 BLS6G3135-120數據表 頁面 5 BLS6G3135-120數據表 頁面 6 BLS6G3135-120數據表 頁面 7 BLS6G3135-120數據表 頁面 8 BLS6G3135-120數據表 頁面 9 BLS6G3135-120數據表 頁面 10 BLS6G3135-120數據表 頁面 11

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BLS6G3135S-120規格

制造商Ampleon USA Inc.
系列-
晶體管類型LDMOS
頻率3.1GHz ~ 3.5GHz
增益11dB
電壓-測試32V
額定電流(安培)7.2A
噪聲系數-
當前-測試100mA
功率-輸出120W
電壓-額定60V
包裝/箱SOT-502B
供應商設備包裝SOT502B

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制造商

Ampleon USA Inc.

系列

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晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

108MHz

增益

27dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

20mA

功率-輸出

110W

電壓-額定

135V

包裝/箱

SOT-1224-2

供應商設備包裝

4-HSOPF

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

1.03GHz

增益

20dB

電壓-測試

50V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

150mA

功率-輸出

1000W

電壓-額定

110V

包裝/箱

NI-1230

供應商設備包裝

NI-1230

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual)

頻率

2.14GHz

增益

18.1dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.4A

功率-輸出

48W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-1230S

供應商設備包裝

NI-1230S

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

N-Channel Dual Gate

頻率

800MHz

增益

-

電壓-測試

5V

額定電流(安培)

40mA

噪聲系數

2dB

當前-測試

15mA

功率-輸出

-

電壓-額定

7V

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

CMPAK-4

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

N-Channel Dual Gate

頻率

200MHz

增益

-

電壓-測試

8V

額定電流(安培)

40mA

噪聲系數

0.6dB

當前-測試

15mA

功率-輸出

-

電壓-額定

12V

包裝/箱

SC-82A, SOT-343

供應商設備包裝

CMPAK-4

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