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BQ4015YMA-85

BQ4015YMA-85

僅供參考

型號 BQ4015YMA-85
PNEDA編號 BQ4015YMA-85
描述 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32DIP
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BQ4015YMA-85資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BQ4015YMA-85
類別半導體內存IC內存

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BQ4015YMA-85規格

制造商
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式NVSRAM
技術NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
內存大小4Mb (512K x 8)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁85ns
訪問時間85ns
電壓-供電4.5V ~ 5.5V
工作溫度0°C ~ 70°C (TA)
安裝類型Through Hole
包裝/箱32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
供應商設備包裝32-DIP Module (18.42x42.8)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

-

內存接口

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時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

R1LV0108ESA-5SR#S0

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制造商

Renesas Electronics America

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)

供應商設備包裝

32-sTSOP

CY7C1061AV33-10BAXI

Cypress Semiconductor

制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

16Mb (1M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

10ns

訪問時間

10ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

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包裝/箱

60-TFBGA

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

20ns

訪問時間

20ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

28-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

28-PDIP

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制造商

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (1M x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

50MHz

寫周期-字,頁

7ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

8-SOIC

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