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BR24G256FVT-3GE2

BR24G256FVT-3GE2

僅供參考

型號 BR24G256FVT-3GE2
PNEDA編號 BR24G256FVT-3GE2
描述 IC EEPROM 256K I2C 8TSSOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR24G256FVT-3GE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR24G256FVT-3GE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR24G256FVT-3GE2, BR24G256FVT-3GE2數據表 (總頁數: 36, 大小: 1,177.74 KB)
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BR24G256FVT-3GE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小256Kb (32K x 8)
內存接口I²C
時鐘頻率400kHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.6V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP-B

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制造商

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內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

MT46H64M32LFCX-48 WT:B TR

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR

內存大小

2Gb (64M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

208MHz

寫周期-字,頁

14.4ns

訪問時間

5.0ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

-25°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

90-VFBGA

供應商設備包裝

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

16Kb (2K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

55ns

訪問時間

55ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

52-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

52-PLCC (19.13x19.13)

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制造商

Microchip Technology

系列

-

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EPROM

技術

EPROM - OTP

內存大小

1Mb (128K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

120ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

32-LCC (J-Lead)

供應商設備包裝

32-PLCC (13.97x11.43)

S70FL01GSDPBHVC10

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制造商

Cypress Semiconductor Corp

系列

FL-S

內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

1Gb (128M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

66MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

24-BGA (8x6)

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