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BR25010N-10SU-2.7

BR25010N-10SU-2.7

僅供參考

型號 BR25010N-10SU-2.7
PNEDA編號 BR25010N-10SU-2-7
描述 IC EEPROM 1K SPI 3MHZ 8SOIC
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR25010N-10SU-2.7資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR25010N-10SU-2.7
類別半導體內存IC內存
數據表
BR25010N-10SU-2.7, BR25010N-10SU-2.7數據表 (總頁數: 6, 大小: 341.32 KB)
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BR25010N-10SU-2.7規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Kb (128 x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率3MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

1MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.8V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6.3ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

-

內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, DDR IIP

內存大小

18Mb (512K x 36)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.71V ~ 1.89V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SDRAM - DDR2

內存大小

512Mb (64M x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

400ps

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

0°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

45ns

訪問時間

45ns

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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