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BR25G1MF-3GE2

BR25G1MF-3GE2

僅供參考

型號 BR25G1MF-3GE2
PNEDA編號 BR25G1MF-3GE2
描述 IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8SOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 25,998
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR25G1MF-3GE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR25G1MF-3GE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR25G1MF-3GE2, BR25G1MF-3GE2數據表 (總頁數: 32, 大小: 717.53 KB)
PDFBR25G1MFJ-3GE2數據表 封面
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BR25G1MF-3GE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小1Mb (128K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率10MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.8V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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內存格式

EEPROM

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內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

32Mb (2M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

6ns

電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH - NOR

內存大小

64Mb (8M x 8)

內存接口

SPI - Quad I/O, QPI

時鐘頻率

108MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存大小

18Mb (1M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

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