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BR25H640F-2ACE2

BR25H640F-2ACE2

僅供參考

型號 BR25H640F-2ACE2
PNEDA編號 BR25H640F-2ACE2
描述 IC EEPROM 64K SPI 10MHZ 8SOP
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,352
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR25H640F-2ACE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR25H640F-2ACE2
類別半導體內存IC內存
數據表
BR25H640F-2ACE2, BR25H640F-2ACE2數據表 (總頁數: 39, 大小: 1,560.54 KB)
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BR25H640F-2ACE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小64Kb (8K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率10MHz
寫周期-字,頁4ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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內存類型

Volatile

內存格式

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內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

150MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.8ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.465V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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內存類型

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內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

256Kb (32K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

1.066GHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

8ns

電壓-供電

1.28V ~ 1.42V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM

內存大小

64Kb (8K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 1.95V

工作溫度

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包裝/箱

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