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BR93G66FJ-3BGTE2

BR93G66FJ-3BGTE2

僅供參考

型號 BR93G66FJ-3BGTE2
PNEDA編號 BR93G66FJ-3BGTE2
描述 MICROWIRE BUS 4KBIT(256X16BIT) E
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR93G66FJ-3BGTE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR93G66FJ-3BGTE2
類別半導體內存IC內存

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BR93G66FJ-3BGTE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小4Kb (256 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率3MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP-J

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內存格式

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內存大小

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內存接口

SPI - Quad I/O

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

1.5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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內存類型

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內存格式

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技術

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

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訪問時間

12ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

IDT, Integrated Device Technology Inc

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內存類型

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內存格式

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技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

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電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

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內存類型

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內存格式

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技術

EEPROM

內存大小

4Kb (512 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

10MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

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8Mb (264 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

15MHz

寫周期-字,頁

14ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

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包裝/箱

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

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28-TSOP

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