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BR93G76F-3GTE2

BR93G76F-3GTE2

僅供參考

型號 BR93G76F-3GTE2
PNEDA編號 BR93G76F-3GTE2
描述 MICROWIRE BUS 8KBIT(512X16BIT) E
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BR93G76F-3GTE2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BR93G76F-3GTE2
類別半導體內存IC內存

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BR93G76F-3GTE2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小8Kb (1K x 8, 512 x 16)
內存接口SPI
時鐘頻率3MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電1.7V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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內存接口

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時鐘頻率

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寫周期-字,頁

35ns

訪問時間

35ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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電壓-供電

2.2V ~ 3.6V

工作溫度

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安裝類型

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內存大小

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內存接口

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時鐘頻率

-

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訪問時間

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電壓-供電

2.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

2Kb (256 x 8, 128 x 16)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

10ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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內存類型

Volatile

內存格式

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技術

SRAM - Dual Port, Asynchronous

內存大小

8Kb (1K x 8)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

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訪問時間

20ns

電壓-供電

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安裝類型

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