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BS2100F-E2

BS2100F-E2

僅供參考

型號 BS2100F-E2
PNEDA編號 BS2100F-E2
描述 IC DVR IGBT/MOSFET
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 3 - 三月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BS2100F-E2資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BS2100F-E2
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
BS2100F-E2, BS2100F-E2數據表 (總頁數: 1, 大小: 84.47 KB)
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BS2100F-E2規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 18V
邏輯電壓-VIL,VIH1V, 2.6V
電流-峰值輸出(源極,接收器)60mA, 130mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)200ns, 100ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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N-Channel MOSFET

電壓-供電

7.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

2.4V, 9.6V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

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驅動程序數量

4

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

5.25V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1A, 1A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

108V

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

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頻道類型

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

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輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

14ns, 9ns

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

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驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4.5A, 4.5A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

15ns, 18ns

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-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 16.6V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

170mA, 270mA

輸入類型

RC Input Circuit

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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