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BS250KL-TR1-E3

BS250KL-TR1-E3

僅供參考

型號 BS250KL-TR1-E3
PNEDA編號 BS250KL-TR1-E3
描述 MOSFET P-CH 60V 270MA TO92-18RM
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BS250KL-TR1-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BS250KL-TR1-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
BS250KL-TR1-E3, BS250KL-TR1-E3數據表 (總頁數: 5, 大小: 89.25 KB)
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BS250KL-TR1-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)270mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3nC @ 15V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)800mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-18RM
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

105nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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