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BSC014N04LSATMA1

BSC014N04LSATMA1

僅供參考

型號 BSC014N04LSATMA1
PNEDA編號 BSC014N04LSATMA1
描述 MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 38,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC014N04LSATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC014N04LSATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC014N04LSATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)32A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs61nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4300pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SuperSO8
包裝/箱8-PowerTDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 3.3V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 5A, 3.3V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 3.3V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1503pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.47W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

526pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

33W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

85W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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-

功耗(最大值)

26W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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