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BSC030N08NS5ATMA1

BSC030N08NS5ATMA1

僅供參考

型號 BSC030N08NS5ATMA1
PNEDA編號 BSC030N08NS5ATMA1
描述 MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC030N08NS5ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC030N08NS5ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC030N08NS5ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.8V @ 95µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs76nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5600pF @ 40V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 139W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-7
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

125pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 2.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

685pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 3.13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1255pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

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