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BSC030P03NS3GAUMA1

BSC030P03NS3GAUMA1

僅供參考

型號 BSC030P03NS3GAUMA1
PNEDA編號 BSC030P03NS3GAUMA1
描述 MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 1,129,608
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC030P03NS3GAUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC030P03NS3GAUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC030P03NS3GAUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25.4A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.1V @ 345µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs186nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14000pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-1
包裝/箱8-PowerTDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1281pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2770pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

177mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

230pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

525V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

980mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

737pF @ 100V

FET功能

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功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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