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BSC035N04LSGATMA1

BSC035N04LSGATMA1

僅供參考

型號 BSC035N04LSGATMA1
PNEDA編號 BSC035N04LSGATMA1
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 235,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC035N04LSGATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC035N04LSGATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC035N04LSGATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)21A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 36µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs64nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5100pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-1
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 2.7V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7Ohm @ 200mA, 2.7V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

470mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.74nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12.9pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

390mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

585mOhm @ 4.5A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

7V @ 1.38mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 15V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

645pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.5A (Ta), 39A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

770pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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