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BSC060P03NS3EGATMA1

BSC060P03NS3EGATMA1

僅供參考

型號 BSC060P03NS3EGATMA1
PNEDA編號 BSC060P03NS3EGATMA1
描述 MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
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庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC060P03NS3EGATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC060P03NS3EGATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC060P03NS3EGATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17.7A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.1V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs81nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6020pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-1
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 15V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

+30V, -20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2659pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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安裝類型

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

120V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4250pF @ 60V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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