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BSC0924NDIATMA1

BSC0924NDIATMA1

僅供參考

型號 BSC0924NDIATMA1
PNEDA編號 BSC0924NDIATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC0924NDIATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC0924NDIATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSC0924NDIATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A, 32A
Rds On(Max)@ Id,Vgs5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1160pF @ 15V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝PG-TISON-8

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1225pF @ 25V

功率-最大

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安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

58nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

160mA, 140mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9pF @ 15V

功率-最大

125mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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