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BSC252N10NSFGATMA1

BSC252N10NSFGATMA1

僅供參考

型號 BSC252N10NSFGATMA1
PNEDA編號 BSC252N10NSFGATMA1
描述 MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,336
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSC252N10NSFGATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSC252N10NSFGATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSC252N10NSFGATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.2A (Ta), 40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 43µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)78W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TDSON-8-1
包裝/箱8-PowerTDFN

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3342pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8

包裝/箱

PowerPAK® SO-8

BSS83PE6327

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

330mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 330mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.57nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

78pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2010pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 9.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.35W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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