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BSD223PH6327XTSA1

BSD223PH6327XTSA1

僅供參考

型號 BSD223PH6327XTSA1
PNEDA編號 BSD223PH6327XTSA1
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 1,250,454
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSD223PH6327XTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSD223PH6327XTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSD223PH6327XTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)390mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 1.5µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.62nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds56pF @ 15V
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝PG-SOT363-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 10mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

748nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20600pF @ 25V

功率-最大

1250W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

62A, 54A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

104nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5080pF @ 25V

功率-最大

89W, 132W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Infineon Technologies

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 13V

功率-最大

1.7W

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安裝類型

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 1.11mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3570pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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