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BSL205NL6327HTSA1

BSL205NL6327HTSA1

僅供參考

型號 BSL205NL6327HTSA1
PNEDA編號 BSL205NL6327HTSA1
描述 MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 6TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,482
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSL205NL6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSL205NL6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSL205NL6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 11µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.2nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds419pF @ 10V
功率-最大500mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝PG-TSOP-6-6

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A, 4.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

355pF @ 20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1233pF @ 15V

功率-最大

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

42pF @ 10V

功率-最大

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