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BSL308PEL6327HTSA1

BSL308PEL6327HTSA1

僅供參考

型號 BSL308PEL6327HTSA1
PNEDA編號 BSL308PEL6327HTSA1
描述 MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,236
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSL308PEL6327HTSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSL308PEL6327HTSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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BSL308PEL6327HTSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 11µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds500pF @ 15V
功率-最大500mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝PG-TSOP-6-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.1nC @ 4.5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 980µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.72nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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