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BSM100GB120DLCHOSA1

BSM100GB120DLCHOSA1

僅供參考

型號 BSM100GB120DLCHOSA1
PNEDA編號 BSM100GB120DLCHOSA1
描述 IGBT 2 MED POWER 62MM-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,968
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 2 - 四月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM100GB120DLCHOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM100GB120DLCHOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM100GB120DLCHOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大830W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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140A

功率-最大

480W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP4

供應商設備包裝

SP4

制造商

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系列

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IGBT類型

NPT

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

160A

功率-最大

640W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

6.3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Chassis Mount

包裝/箱

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Powerex Inc.

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

功率-最大

114W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.36nF @ 10V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-20°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

26-DIP Module

供應商設備包裝

-

制造商

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系列

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IGBT類型

PT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

280A

功率-最大

940W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.97nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

205A

功率-最大

835W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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