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BSM100GB120DN2KHOSA1

BSM100GB120DN2KHOSA1

僅供參考

型號 BSM100GB120DN2KHOSA1
PNEDA編號 BSM100GB120DN2KHOSA1
描述 IGBT 2 MED POWER 34MM-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM100GB120DN2KHOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM100GB120DN2KHOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM100GB120DN2KHOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)145A
功率-最大700W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)2mA
輸入電容(Cies)@ Vce6.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

17.5nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

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配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

功率-最大

165W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

890W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

23nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

220A

功率-最大

700W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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