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BSM25GD120DN2E3224BOSA1

BSM25GD120DN2E3224BOSA1

僅供參考

型號 BSM25GD120DN2E3224BOSA1
PNEDA編號 BSM25GD120DN2E3224BOSA1
描述 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,010
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM25GD120DN2E3224BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM25GD120DN2E3224BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM25GD120DN2E3224BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)35A
功率-最大200W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 25A
當前-集電極截止(最大值)800µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.65nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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當前-集電極(Ic)(最大值)

32A

功率-最大

62W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

430A

功率-最大

1630W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

30nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

225W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.65nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

560W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4700pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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