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BSM35GB120DN2HOSA1

BSM35GB120DN2HOSA1

僅供參考

型號 BSM35GB120DN2HOSA1
PNEDA編號 BSM35GB120DN2HOSA1
描述 IGBT 2 MED POWER 34MM-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,230
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 27 - 四月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM35GB120DN2HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM35GB120DN2HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM35GB120DN2HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大280W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 35A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce2nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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149A

功率-最大

625W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.08nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

16.5nF @ 30V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1500A

功率-最大

1500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 1.5kA

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

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NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

2100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

60nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

功率-最大

520W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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