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BSM50GD120DN2BOSA1

BSM50GD120DN2BOSA1

僅供參考

型號 BSM50GD120DN2BOSA1
PNEDA編號 BSM50GD120DN2BOSA1
描述 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM50GD120DN2BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM50GD120DN2BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM50GD120DN2BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)72A
功率-最大350W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce3.3nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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930A

功率-最大

4150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 650A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

54nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

730W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6.5V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

16nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

-

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

1150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

15nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

260A

功率-最大

680W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

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735W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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