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BSM600C12P3G201

BSM600C12P3G201

僅供參考

型號 BSM600C12P3G201
PNEDA編號 BSM600C12P3G201
描述 BSM600C12P3G201 IS A CHOPPER MOD
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,804
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM600C12P3G201資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM600C12P3G201
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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BSM600C12P3G201規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)600A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID5.6V @ 182mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)+22V, -4V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds28000pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2460W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝Module
包裝/箱Module

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 78A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.8A (Ta), 25A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 16µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

410pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 28W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

500mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

196pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

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