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BSM75GAR120DN2HOSA1

BSM75GAR120DN2HOSA1

僅供參考

型號 BSM75GAR120DN2HOSA1
PNEDA編號 BSM75GAR120DN2HOSA1
描述 IGBT 2 MED POWER 34MM-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,628
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 14 - 四月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BSM75GAR120DN2HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BSM75GAR120DN2HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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BSM75GAR120DN2HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
功率-最大235W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 15V, 15A
當前-集電極截止(最大值)400µA
輸入電容(Cies)@ Vce1nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

1100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 10V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

170nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

175W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.45nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

2100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

60nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

570A

功率-最大

1600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

42.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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-

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